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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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GBL08L-5306E3/45

Número de pieza
GBL08L-5306E3/45
Estado RoHS
N/A
Fabricante / Marca
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Condición de stock
Escasez de existencias
Descripción del Producto
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
Nave de
Hong Kong
Especificaciones
GBL005, GBL01, GBL02, GBL04, GBL06, GBL08, GBL10.pdf
Manera del envío
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • Modo de transporte
  • Después de las ventas
  • Especificaciones
Especificaciones de GBL08L-5306E3/45
Tensión - inversa de pico (máxima)800 V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @1 V @ 4 A
TecnologíaStandard
Paquete del dispositivoGBL
Serie-
Paquete / Cubierta4-SIP, GBL
PaqueteTube
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Tipo de diodoSingle Phase
Corriente - Fuga inversa a Vr5 µA @ 800 V
Corriente - rectificada media (Io)3 A
Número de producto baseGBL08

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