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Infineon Technologies
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IRD3CH16DB6

Número de pieza
IRD3CH16DB6
Estado RoHS
N/A
Fabricante / Marca
Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Condición de stock
Escasez de existencias
Descripción del Producto
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Nave de
Hong Kong
Especificaciones
IRD3CH16DB6.pdf
Manera del envío
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • Modo de transporte
  • Después de las ventas
  • Especificaciones
Especificaciones de IRD3CH16DB6
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @2.7 V @ 25 A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)1200 V
TecnologíaStandard
Paquete del dispositivoWafer
VelocidadFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie-
Tiempo de recuperación inversa (trr)190 ns
Paquete / CubiertaDie
PaqueteBulk
Temperatura de funcionamiento - Junction-40°C ~ 150°C
Tipo de montajeSurface Mount
Corriente - Fuga inversa a Vr5 µA @ 1200 V
Corriente - rectificada media (Io)25A
Capacitancia Vr, F-
Número de producto baseIRD3CH16

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