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SURS8160T3G

Número de pieza
SURS8160T3G
Estado RoHS
N/A
Fabricante / Marca
AMI Semiconductor/onsemi
Condición de stock
Escasez de existencias
Descripción del Producto
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Nave de
Hong Kong
Especificaciones
MURS120T3G, SURS_NRVUS8120T3G Series.pdf
Manera del envío
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Escasez de existencias Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs 10 pcs 100 pcs 1000 pcs 2500 pcs
$0.41 $0.311 $0.169 $0.127 $0.109

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  • Modo de transporte
  • Después de las ventas
  • Especificaciones
Especificaciones de SURS8160T3G
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @1.25 V @ 1 A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)600 V
TecnologíaStandard
Paquete del dispositivoSMB
VelocidadFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)75 ns
Paquete / CubiertaDO-214AA, SMB
PaqueteTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento - Junction-65°C ~ 175°C
Tipo de montajeSurface Mount
Corriente - Fuga inversa a Vr5 µA @ 600 V
Corriente - rectificada media (Io)1A
Capacitancia Vr, F-
Número de producto baseSURS8160

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